1N5617US

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Spezifikation

Artikelnummer

1N5617US
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1N5617US.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

400V
Supplier Device-Gehäuse

D-5A
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

150ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SQ-MELF, A
Betriebstemperatur - Anschluss

-65°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

500nA @ 400V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

35pF @ 12V, 1MHz

Das Folgende sind "1N5617US" -Einziper.

1N5617GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi

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1N5617GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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1N5617C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech

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1N5616C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Semtech

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1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi

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1N5615GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

1N5619GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

1N5619GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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