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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5617C.TR
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51000811N5617C.TR-Bild.Semtech

1N5617C.TR

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$5.408
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  • Artikelnummer
    1N5617C.TR
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    1N5617C.TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    1N5617C.CT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    Not Applicable
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 2A Through Hole Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    27pF @ 5V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N5617C.TR" -Einziper.
1N5616

1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5615GP-E3/73

1N5615GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5619

1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5617US

1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5615GP-E3/54

1N5615GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5615

1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5616C.TR

1N5616C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5616US

1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5615US

1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5617GP-E3/54

1N5617GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5618

1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5618US

1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5617GP-E3/73

1N5617GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5619GP-E3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5614US

1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5617

1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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RFQ
1N5615GPHE3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N5618GPHE3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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