1N5804US

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Spezifikation

Artikelnummer

1N5804US
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1N5804US.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

100V
Supplier Device-Gehäuse

D-5A
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

25ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SQ-MELF, A
Betriebstemperatur - Anschluss

-65°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 100V 1A Surface Mount D-5A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 100V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Das Folgende sind "1N5804US" -Einziper.

1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5805

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5808

Beschreibung: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5803

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5806TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ