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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5805
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66797701N5805-Bild.Microsemi

1N5805

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5805
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5805.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    125V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 125V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 125V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N5805" -Einziper.
1N5802

1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5802

1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5808

1N5808

Beschreibung: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5804

1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807

1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5774

1N5774

Beschreibung: TVS DIODE 14FLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5802US

1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5803

1N5803

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5802US

1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5807US

1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5806US

1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5807

1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5804US

1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5809

1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807US

1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5806US

1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5804

1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5804US

1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Hersteller: Semtech
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