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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5804US
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1N5804US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5804US
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1.1A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    1N5804US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF
  • Andere Namen
    1N5804USS
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    46 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1.1A Surface Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1.1A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 5V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N5804US" -Einziper.
1N5802

1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807

1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5802

1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5806US

1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807

1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5804

1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5807US

1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5804

1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5803

1N5803

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5770

1N5770

Beschreibung: TVS DIODE 10CFLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5802US

1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5807US

1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5805

1N5805

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5774

1N5774

Beschreibung: TVS DIODE 14FLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5772

1N5772

Beschreibung: TVS DIODE 10CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5802US

1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5804US

1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5806US

1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Hersteller: Semtech
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