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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT10045JLL

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APT10045JLL-Bild.

Microsemi

APT10045JLL

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Spezifikation

Artikelnummer

APT10045JLL
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT10045JLL.pdf
2.APT10045JLL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (max)

460W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

19 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 21A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

21A (Tc)

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Das Folgende sind "APT10045JLL" -Einziper.

APT10021JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1003RBLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10078SLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10035B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10035B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT10090BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10035JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10035LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT100DL60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10090BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10078BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10021JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10045B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1002RBNG

APT1002RBNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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