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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APT100GF60JU3

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APT100GF60JU3-Bild.

Microsemi

APT100GF60JU3

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Spezifikation

Artikelnummer

APT100GF60JU3
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 600V 120A 416W SOT227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT100GF60JU3.pdf
2.APT100GF60JU3.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

-
Leistung - max

416W
Verpackung / Gehäuse

ISOTOP
Betriebstemperatur

-
NTC-Thermistor

No
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE

4.3nF @ 25V
Eingang

Standard
IGBT-Typ

NPT
detaillierte Beschreibung

IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227
Strom - Collector Cutoff (Max)

100µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

120A
Konfiguration

Single

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Das Folgende sind "APT100GF60JU3" -Einziper.

APT100GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100DL60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10090BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10078SLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10045JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10090BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10045B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10078BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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