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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APT100GLQ65JU2

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APT100GLQ65JU2

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

100+

$21.95

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT100GLQ65JU2
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT100GLQ65JU2.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse

ISOTOP®
Serie

-
Leistung - max

430W
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
NTC-Thermistor

No
Befestigungsart

Chassis Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE

6.1nF @ 25V
Eingang

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper 650V 165A 430W Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Collector Cutoff (Max)

50µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

165A
Konfiguration

Boost Chopper

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Das Folgende sind "APT100GLQ65JU2" -Einziper.

APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10045JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10078BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10078SLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10090BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100DL60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10090BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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