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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT30F50B

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APT30F50B-Bild.

Microsemi

APT30F50B

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Spezifikation

Artikelnummer

APT30F50B
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT30F50B.pdf
2.APT30F50B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

415W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

APT30F50BMP
APT30F50BMP-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4525pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "APT30F50B" -Einziper.

APT30GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GP60BDQ1G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ60BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ60BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ60KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GP60B2DLG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DS60BG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DS20HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 200V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ100KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GP60JDQ1

Beschreibung: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GP60BG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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