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820146APT30GF60JU2-Bild.Microsemi

APT30GF60JU2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT30GF60JU2
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 58A 192W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT30GF60JU2.pdf
    2.APT30GF60JU2.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 30A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    192W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Andere Namen
    APT30GF60JU2MI
    APT30GF60JU2MI-ND
  • Betriebstemperatur
    -
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    1.85nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    40µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    58A
  • Konfiguration
    Single

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Zahlung
Das Folgende sind "APT30GF60JU2" -Einziper.
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Beschreibung: IGBT 600V 54A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Beschreibung: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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