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554311APT30GP60B2DLG-Bild.Microsemi

APT30GP60B2DLG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT30GP60B2DLG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 100A 463W TMAX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT30GP60B2DLG.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 30A
  • Testbedingung
    400V, 30A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    13ns/55ns
  • Schaltenergie
    260µJ (on), 250µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-MAX™
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    463W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    90nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole T-MAX™
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    120A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100A

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APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Beschreibung: IGBT 600V 64A 250W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 64A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Beschreibung: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Beschreibung: IGBT 600V 54A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Beschreibung: IGBT 600V 54A 250W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Beschreibung: IGBT 600V 64A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
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RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

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