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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > APT50DL60HJ
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3572977APT50DL60HJ-Bild.Microsemi

APT50DL60HJ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT50DL60HJ
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOD DIODE 600V SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    600V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2V @ 50A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    250µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    50A
APT5020BN

APT5020BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GF60JU2

APT50GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5016BFLLG

APT5016BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5018BLLG

APT5018BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GF120LRG

APT50GF120LRG

Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5025BN

APT5025BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5020BNFR

APT5020BNFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50DF170HJ

APT50DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GN120B2G

APT50GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5016BLLG

APT5016BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT50GF60JCU2

APT50GF60JCU2

Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5022BNG

APT5022BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5024BLLG

APT5024BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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