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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > APT50GN120B2G

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APT50GN120B2G-Bild.

Microsemi

APT50GN120B2G

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Spezifikation

Artikelnummer

APT50GN120B2G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 1200V 134A 543W TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT50GN120B2G.pdf
2.APT50GN120B2G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A
Testbedingung

800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

28ns/320ns
Schaltenergie

4495µJ (off)
Serie

-
Leistung - max

543W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop
Gate-Ladung

315nC
detaillierte Beschreibung

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
Strom - Collector Pulsed (Icm)

150A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

134A

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Das Folgende sind "APT50GN120B2G" -Einziper.

APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 150A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GF120B2RG

Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GF120LRG

Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GF60JCU2

Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GP60JDQ2

Beschreibung: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

Beschreibung: IGBT 600V 150A 625W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GR120JD30

Beschreibung: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GP60BG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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