Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > APT50GF120LRG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2285016APT50GF120LRG-Bild.Microsemi

APT50GF120LRG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$23.04
10+
$20.949
25+
$19.378
100+
$17.806
250+
$16.235
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT50GF120LRG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 135A 781W TO264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT50GF120LRG.pdf
    2.APT50GF120LRG.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 50A
  • Testbedingung
    800V, 50A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    25ns/260ns
  • Schaltenergie
    3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264 [L]
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    781W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Andere Namen
    APT50GF120LRGMI
    APT50GF120LRGMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    340nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    150A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    135A

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "APT50GF120LRG" -Einziper.
APT50DF170HJ

APT50DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5025BN

APT5025BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5022BNG

APT5022BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50DL60HJ

APT50DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5020BNFR

APT5020BNFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GF60JU2

APT50GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GF60JCU2

APT50GF60JCU2

Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GP60BG

APT50GP60BG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 150A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5020BN

APT5020BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GN60BG

APT50GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GN120B2G

APT50GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5024BLLG

APT5024BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.