Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > APT75GN60BG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1618156APT75GN60BG-Bild.Microsemi

APT75GN60BG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$8.49
10+
$7.639
30+
$6.96
120+
$6.281
270+
$5.772
510+
$5.262
1020+
$4.583
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT75GN60BG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 155A 536W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT75GN60BG.pdf
    2.APT75GN60BG.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 75A
  • Testbedingung
    400V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    47ns/385ns
  • Schaltenergie
    2500µJ (on), 2140µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    536W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    485nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    225A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    155A

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "APT75GN60BG" -Einziper.
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75F50B2

APT75F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75F50L

APT75F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GP120J

APT75GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75M50L

APT75M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Beschreibung: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GN120J

APT75GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.