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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APT75GN120JDQ3
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4433261APT75GN120JDQ3-Bild.Microsemi

APT75GN120JDQ3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT75GN120JDQ3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 124A 379W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    379W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Andere Namen
    APT75GN120JDQ3MI
    APT75GN120JDQ3MI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    4.8nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    200µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    124A
  • Konfiguration
    Single
APT75GN120J

APT75GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT75F50L

APT75F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75F50B2

APT75F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120J

APT75GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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