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2184716APT80GA60LD40-Bild.Microsemi

APT80GA60LD40

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT80GA60LD40
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 143A 625W TO264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT80GA60LD40.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 47A
  • Testbedingung
    400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    23ns/158ns
  • Schaltenergie
    840µJ (on), 751µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    22ns
  • Leistung - max
    625W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    29 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    230nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    240A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    143A

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APT8024B2LLG

APT8024B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80SM120B

APT80SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80F60J

APT80F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80GP60J

APT80GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80GA90B

APT80GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8020JLL

APT8020JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80M60J

APT80M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8075BN

APT8075BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8024LLLG

APT8024LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8020LFLLG

APT8020LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80GA60B

APT80GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80SM120J

APT80SM120J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8024JLL

APT8024JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT8024LFLLG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
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