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3955148APT80GA90LD40-Bild.Microsemi

APT80GA90LD40

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT80GA90LD40
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 900V 145A 625W TO-264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    900V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 47A
  • Testbedingung
    600V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    18ns/149ns
  • Schaltenergie
    1652µJ (on), 1389µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Leistung - max
    625W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Andere Namen
    Q4945437
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    29 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    200nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    239A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    145A
APT80F60J

APT80F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA90B

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Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT80SM120B

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Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

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APT80GA60LD40

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Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO264

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APT84M50L

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
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APT8024B2LLG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

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APT8075BN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

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APT80M60J

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120J

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Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
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APT84F50B2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT80GP60J

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Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT8020LFLLG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
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APT85GR120B2

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Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT8024LFLLG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
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APT8024JLL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

Hersteller: Microsemi
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APT80GA60B

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Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO247

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APT84F50L

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

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APT80SM120S

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Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

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APT8024LLLG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

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APT84M50B2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

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