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2367220

APT80SM120J

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Spezifikation

Artikelnummer

APT80SM120J
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

POWER MOSFET - SIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 40A, 20V
Verlustleistung (max)

273W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1200V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

51A (Tc)

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Das Folgende sind "APT80SM120J" -Einziper.

APT80GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8024LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80SM120B

APT80SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT84F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT84M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80GA90LD40

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8075BN

APT8075BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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