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232406APT8M100B-Bild.Microsemi

APT8M100B

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$3.514
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT8M100B
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT8M100B.pdf
    2.APT8M100B.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    290W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    APT8M100BMI
    APT8M100BMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1885pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1000V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)

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APT85GR120J

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT85GR120L

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT9F100B

APT9F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT84M50L

APT84M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT9F100S

APT9F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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APT97N65LC6

APT97N65LC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Hersteller: Microsemi
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