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3868439APT85GR120L-Bild.Microsemi

APT85GR120L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT85GR120L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 170A 962W TO264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Testbedingung
    600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    43ns/300ns
  • Schaltenergie
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    962W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    19 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    660nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    340A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    170A
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120J

APT80SM120J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
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APT8M100B

APT8M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84F50B2

APT84F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120B

APT80SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
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APT85GR120J

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
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APT85GR120B2

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT84F50L

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
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APT84M50L

APT84M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
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APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
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APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi
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APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT84M50B2

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT97N65LC6

APT97N65LC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Hersteller: Microsemi
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APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

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APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

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