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APT84M50L-Bild.

Microsemi

APT84M50L

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Spezifikation

Artikelnummer

APT84M50L
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT84M50L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-264
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 42A, 10V
Verlustleistung (max)

1135W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen

APT84M50LMI
APT84M50LMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

84A (Tc)

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Das Folgende sind "APT84M50L" -Einziper.

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80SM120J

APT80SM120J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT84F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT94N65B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80SM120B

APT80SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT90DR160HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT94N60L2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT80GA90LD40

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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