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JAN1N5556

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5556
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5556.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    40.3V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    63.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    43.7V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-13 (DO-202AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-13
  • Andere Namen
    1086-15760
    1086-15760-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    24A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N5556" -Einziper.
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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