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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6072A
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JAN1N6072A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6072A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 185V 328V DO13
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6072A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    185V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    328V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    209V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-13 (DO-202AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/507
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-13
  • Andere Namen
    1086-15905
    1086-15905-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    4.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6072A" -Einziper.
JAN1N6101

JAN1N6101

Beschreibung: TVS DIODE 16CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6045A

JAN1N6045A

Beschreibung: TVS DIODE 15V 25.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6055A

JAN1N6055A

Beschreibung: TVS DIODE 40V 64.8V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6076

JAN1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6100

JAN1N6100

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6061A

JAN1N6061A

Beschreibung: TVS DIODE 70V 113V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103

JAN1N6103

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6078

JAN1N6078

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6077

JAN1N6077

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6057A

JAN1N6057A

Beschreibung: TVS DIODE 47V 77V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6053A

JAN1N6053A

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6047A

JAN1N6047A

Beschreibung: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6052A

JAN1N6052A

Beschreibung: TVS DIODE 30V 49.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6074

JAN1N6074

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6069A

JAN1N6069A

Beschreibung: TVS DIODE 150V 261V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6051A

JAN1N6051A

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6081

JAN1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6073

JAN1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6044A

JAN1N6044A

Beschreibung: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6075

JAN1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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