Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6074
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4660898

JAN1N6074

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$17.279
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6074
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6074.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.04V @ 9.4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    A-PAK
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/503
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-2128
    1086-2128-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 155°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Through Hole A-PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6074" -Einziper.
JAN1N6077

JAN1N6077

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6081

JAN1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6101

JAN1N6101

Beschreibung: TVS DIODE 16CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6057A

JAN1N6057A

Beschreibung: TVS DIODE 47V 77V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6072A

JAN1N6072A

Beschreibung: TVS DIODE 185V 328V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6069A

JAN1N6069A

Beschreibung: TVS DIODE 150V 261V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6073

JAN1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6075

JAN1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6061A

JAN1N6061A

Beschreibung: TVS DIODE 70V 113V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6100

JAN1N6100

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6053A

JAN1N6053A

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103

JAN1N6103

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6052A

JAN1N6052A

Beschreibung: TVS DIODE 30V 49.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6078

JAN1N6078

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6051A

JAN1N6051A

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6055A

JAN1N6055A

Beschreibung: TVS DIODE 40V 64.8V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6076

JAN1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6047A

JAN1N6047A

Beschreibung: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.