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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6077
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JAN1N6077

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6077
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6077.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.76V @ 18.8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    E-PAK
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/503
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    E, Axial
  • Andere Namen
    1086-19453
    1086-19453-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 155°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1.3A Through Hole E-PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1.3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "JAN1N6077" -Einziper.
JAN1N6053A

JAN1N6053A

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6072A

JAN1N6072A

Beschreibung: TVS DIODE 185V 328V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6061A

JAN1N6061A

Beschreibung: TVS DIODE 70V 113V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6075

JAN1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6074

JAN1N6074

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103

JAN1N6103

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6100

JAN1N6100

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6055A

JAN1N6055A

Beschreibung: TVS DIODE 40V 64.8V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6073

JAN1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104

JAN1N6104

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6057A

JAN1N6057A

Beschreibung: TVS DIODE 47V 77V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6076

JAN1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6069A

JAN1N6069A

Beschreibung: TVS DIODE 150V 261V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6081

JAN1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6101

JAN1N6101

Beschreibung: TVS DIODE 16CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6078

JAN1N6078

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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