Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6136US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3516674

JAN1N6136US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$17.447
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6136US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6136US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    136.8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    257.99V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    162.45V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-19546
    1086-19546-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    1.9A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6136US" -Einziper.
JAN1N6136A

JAN1N6136A

Beschreibung: TVS DIODE 136.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6136

JAN1N6136

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6137AUS

JAN1N6137AUS

Beschreibung: TVS DIODE 152V 273V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135A

JAN1N6135A

Beschreibung: TVS DIODE 121.6VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6135US

JAN1N6135US

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6134US

JAN1N6134US

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6139A

JAN1N6139A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6137US

JAN1N6137US

Beschreibung: TVS DIODE 152V 286.65V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6134A

JAN1N6134A

Beschreibung: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6137

JAN1N6137

Beschreibung: TVS DIODE 152V 286.65V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6134AUS

JAN1N6134AUS

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6136AUS

JAN1N6136AUS

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6138

JAN1N6138

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 11.03V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135AUS

JAN1N6135AUS

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6138AUS

JAN1N6138AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 10.5V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6138US

JAN1N6138US

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 11.03V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6139

JAN1N6139

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6137A

JAN1N6137A

Beschreibung: TVS DIODE 152VWM 273VC BPKG AXL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6138A

JAN1N6138A

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 10.5V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135

JAN1N6135

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.