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3800195JAN1N6153A-Bild.Microsemi

JAN1N6153A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6153A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 22.8V 41.6V C AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6153A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    22.8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    41.6V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    28.5V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    C, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    G, Axial
  • Andere Namen
    1086-2245
    1086-2245-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    36A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM 43.68VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6154US

Beschreibung: TVS DIODE 25.1VWM 47.99VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6152A

JAN1N6152A

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6151US

JAN1N6151US

Beschreibung: TVS DIODE 18.2VWM 34.97VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6153

JAN1N6153

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM 43.68VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6151AUS

JAN1N6151AUS

Beschreibung: TVS DIODE 18.2VWM 33.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6154A

JAN1N6154A

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 45.7V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6152

JAN1N6152

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM 39.27VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6151

JAN1N6151

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 34.97V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6154

JAN1N6154

Beschreibung: TVS DIODE 25.1VWM 47.99VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6155

JAN1N6155

Beschreibung: TVS DIODE 27.4VWM 52.4VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6153AUS

JAN1N6153AUS

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM 41.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6155AUS

JAN1N6155AUS

Beschreibung: TVS DIODE 27.4V 49.9V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6152US

JAN1N6152US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM 39.27VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6150US

Beschreibung: TVS DIODE 16.7VWM 32.03VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6155A

JAN1N6155A

Beschreibung: TVS DIODE 27.4V 49.9V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6152AUS

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM 37.4VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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Beschreibung: TVS DIODE 27.4VWM 52.4VC CPKG

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