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JAN1N6158US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6158US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6158US.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    42.47V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    35.8V
  • Spannung - Durchschlag
    C, SQ-MELF
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    22.04A
  • Polarisation
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19706
    1086-19706-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6158US
  • Beschreibung
    TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    67.83V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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JAN1N6158A

JAN1N6158A

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6160

JAN1N6160

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160AUS

JAN1N6160AUS

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160A

JAN1N6160A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6161

JAN1N6161

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6157AUS

JAN1N6157AUS

Beschreibung: TVS DIODE 32.7VWM 59.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6156A

JAN1N6156A

Beschreibung: TVS DIODE 29.7VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6157US

JAN1N6157US

Beschreibung: TVS DIODE 32.7VWM 62.06VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6156US

JAN1N6156US

Beschreibung: TVS DIODE 29.7VWM 56.28VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6158

JAN1N6158

Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6159US

JAN1N6159US

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6159

JAN1N6159

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6159A

JAN1N6159A

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6158AUS

JAN1N6158AUS

Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6157A

JAN1N6157A

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6156AUS

JAN1N6156AUS

Beschreibung: TVS DIODE 29.7VWM 53.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6157

JAN1N6157

Beschreibung: TVS DIODE 32.7VWM 59.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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