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5293206JAN1N6160A-Bild.Microsemi

JAN1N6160A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6160A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6160A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    42.6V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    77V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    53.2V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    C, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    G, Axial
  • Andere Namen
    1086-2252
    1086-2252-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    19.5A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6162A

JAN1N6162A

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6158AUS

JAN1N6158AUS

Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6159

JAN1N6159

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6159US

JAN1N6159US

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6158

JAN1N6158

Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6162US

JAN1N6162US

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160

JAN1N6160

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6158A

JAN1N6158A

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6162

JAN1N6162

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6158US

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Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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JAN1N6162AUS

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Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

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JAN1N6157US

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Hersteller: Microsemi Corporation
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JAN1N6159A

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Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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