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JAN1N6160AUS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6160AUS
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6160AUS.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    53.2V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    42.6V
  • Spannung - Durchschlag
    C, SQ-MELF
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    19.5A
  • Polarisation
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19718
    1086-19718-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6160AUS
  • Beschreibung
    TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    77V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6158AUS

JAN1N6158AUS

Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6159US

JAN1N6159US

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6159A

JAN1N6159A

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6158

JAN1N6158

Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6158US

JAN1N6158US

Beschreibung: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160

JAN1N6160

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6160A

JAN1N6160A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6158A

JAN1N6158A

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6162US

JAN1N6162US

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161

JAN1N6161

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6162

JAN1N6162

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6163

JAN1N6163

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6159

JAN1N6159

Beschreibung: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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