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JAN1N6162US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6162US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6162US.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    61.37V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    51.7V
  • Spannung - Durchschlag
    C, SQ-MELF
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    14.63A
  • Polarisation
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19733
    1086-19733-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6162US
  • Beschreibung
    TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    101.96V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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JAN1N6163AUS

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6162

JAN1N6162

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6163

JAN1N6163

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6160AUS

JAN1N6160AUS

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6164A

JAN1N6164A

Beschreibung: TVS DIODE 62.2VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6165A

JAN1N6165A

Beschreibung: TVS DIODE 69.2VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161

JAN1N6161

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6164AUS

JAN1N6164AUS

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 112.8V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Beschreibung: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6165

JAN1N6165

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6164

JAN1N6164

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6163A

JAN1N6163A

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6161US

JAN1N6161US

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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JAN1N6164US

JAN1N6164US

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6160A

JAN1N6160A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

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