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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6621U
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2119990

JAN1N6621U

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6621U
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2A
  • Spannung - Durchschlag
    D-5A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-19956
    1086-19956-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    30ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6621U
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 1.2A Surface Mount D-5A
  • Diodenkonfiguration
    500nA @ 400V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.4V @ 1.2A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Das Folgende sind "JAN1N6621U" -Einziper.
JAN1N6620

JAN1N6620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6509

JAN1N6509

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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