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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6621US
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JAN1N6621US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6621US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 440V 2A D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    75V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/116
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-19959
    1086-19959-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 200°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 75V 200mA Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    2.8pF @ 1.5V, 1MHz

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JAN1N6490

JAN1N6490

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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