Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6638U
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4865851

JAN1N6638U

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$12.155
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6638U
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    150V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5B
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-20006
    1086-20006-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 150V 300mA Surface Mount D-5B
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 150V
  • Strom - Richt (Io)
    300mA
  • Kapazität @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6638U" -Einziper.
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642

JAN1N6642

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6640

JAN1N6640

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.