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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6639US
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JAN1N6639US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6639US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6639US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 300mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    75V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5B
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/609
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-20012
    1086-20012-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 75V 300mA Surface Mount D-5B
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    300mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "JAN1N6639US" -Einziper.
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642

JAN1N6642

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6640

JAN1N6640

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
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