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JANTXV1N5617US

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156+
$12.061
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5617US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N5617US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-19420
    1086-19420-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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JANTXV1N5622

JANTXV1N5622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5616

JANTXV1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5622US

JANTXV1N5622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5618

JANTXV1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5616US

JANTXV1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5611

JANTXV1N5611

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5615

JANTXV1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5620

JANTXV1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5621

JANTXV1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5617

JANTXV1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5619US

JANTXV1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5619

JANTXV1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5614US

JANTXV1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5614

JANTXV1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5613

JANTXV1N5613

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5612

JANTXV1N5612

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5621US

JANTXV1N5621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5615US

JANTXV1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Hersteller: Microsemi
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RFQ
JANTXV1N5618US

JANTXV1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

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JANTXV1N5623

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

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