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2178577DMG563010R-Bild.Panasonic

DMG563010R

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1000+
$0.148
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG563010R
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG563010R.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMini5-F3-B
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Andere Namen
    DMG563010RCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    11 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    35 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    DMG56301

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Das Folgende sind "DMG563010R" -Einziper.
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG564010R

DMG564010R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG564030R

DMG564030R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG564040R

DMG564040R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG564060R

DMG564060R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG564050R

DMG564050R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
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