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3650690DMG4812SSS-13-Bild.Diodes Incorporated

DMG4812SSS-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG4812SSS-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 10.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.54W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMG4812SSS-13DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1849pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Schottky Diode (Body)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Ta)
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG563010R

DMG563010R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes
vorrätig
DMG504010R

DMG504010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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