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54099DMG4822SSD-13-Bild.Diodes Incorporated

DMG4822SSD-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG4822SSD-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG4822SSD-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Leistung - max
    1.42W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMG4822SSD-13DITR
    DMG4822SSD13
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    478.9pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 1.42W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A
  • Basisteilenummer
    DMG4822

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Das Folgende sind "DMG4822SSD-13" -Einziper.
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
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