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UNR42160RA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UNR42160RA
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UNR42160RA.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    NS-B1
  • Serie
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    NS-B1
  • Andere Namen
    UNR42160RATB
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    150MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    160 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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