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2138549UNR421900A-Bild.Panasonic

UNR421900A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UNR421900A
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UNR421900A.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    NS-B1
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    1 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    NS-B1
  • Andere Namen
    UNR421900ATB
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    150MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

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