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UNR421K00A

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  • Artikelnummer
    UNR421K00A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    NS-B1
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    NS-B1
  • Andere Namen
    UNR421K00ATB
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    150MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    20 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
UNR422100A

UNR422100A

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

Hersteller: Panasonic
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UNR421200A

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

Hersteller: Panasonic
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UNR421100A

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UNR511000L

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Hersteller: Panasonic
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UNR421D00A

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

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UNR422400A

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UNR422300A

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UNR421800A

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UNR42160RA

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UNR5112G0L

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UNR511100L

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UNR42170RA

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

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UNR422200A

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UNR421300A

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