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52589402SK3547G0L-Bild.Panasonic

2SK3547G0L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK3547G0L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1µA
  • Vgs (Max)
    ±7V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSSMini3-F2
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 Ohm @ 10mA, 4V
  • Verlustleistung (max)
    100mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    2SK3547G0LTR
  • Betriebstemperatur
    125°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    12pF @ 3V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount SSSMini3-F2
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100mA (Ta)
2SK3541T2L

2SK3541T2L

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
2SK353900L

2SK353900L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3670(F,M)

2SK3670(F,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3484(0)-Z-E1-AZ

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 30V 0.2W CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3539G0L

2SK3539G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3483-AZ

2SK3483-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Beschreibung: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3484-AZ

2SK3484-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3483(0)-Z-E1-AZ

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK354700L

2SK354700L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3546J0L

2SK3546J0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3565(Q,M)

2SK3565(Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3566(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

Beschreibung: JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3546G0L

2SK3546G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig

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