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HAT2140H-EL-E-Bild.

Renesas Electronics America

HAT2140H-EL-E

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Spezifikation

Artikelnummer

HAT2140H-EL-E
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HAT2140H-EL-E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max)

30W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Ta)

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Hersteller: Renesas Electronics America

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HAT1111C-EL-E

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Hersteller: Renesas Electronics America

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HAT2169HWS-E

HAT2169HWS-E

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

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HAT1111CWS-E

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HAT2071RWS-E

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Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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