NP90N055NUK-S18-AY

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Spezifikation

Artikelnummer

NP90N055NUK-S18-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NP90N055NUK-S18-AY.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-262-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 45A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta), 176W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

90A (Tc)

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Das Folgende sind "NP90N055NUK-S18-AY" -Einziper.

NP90N04MUG-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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