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NP90N055MUK-S18-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP90N055MUK-S18-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP90N055MUK-S18-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 45A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W (Ta), 176W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    90A (Tc)

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NP90N04VUK-E1-AY

NP90N04VUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP95N03ZUGP-E1

NP95N03ZUGP-E1

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N06VLG-E1-AY

NP90N06VLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N055VUK-E1-AY

NP90N055VUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N04NUK-S18-AY

NP90N04NUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF6729MTR1PBF

IRF6729MTR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSZ050N03LSGATMA1

BSZ050N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDFMA3P029Z

FDFMA3P029Z

Beschreibung: MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTK3142PT5G

NTK3142PT5G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQPF46N15

FQPF46N15

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP90N04MUG-S18-AY

NP90N04MUG-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IRF644NLPBF

IRF644NLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 14A TO-262

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NP90N04MUK-S18-AY

NP90N04MUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
EFC4621R-A-TR

EFC4621R-A-TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP90N03VHG-E1-AY

NP90N03VHG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N03VLG-E1-AY

NP90N03VLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N055NUK-S18-AY

NP90N055NUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
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NP90N04VUG-E1-AY

NP90N04VUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
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