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NP90N06VLG-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP90N06VLG-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP90N06VLG-E1-AY.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8 mOhm @ 45A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.2W (Ta), 105W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    NP90N06VLG-E1-AYDKR
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6900pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    135nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    90A (Tc)

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Das Folgende sind "NP90N06VLG-E1-AY" -Einziper.
STP14NM65N

STP14NM65N

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
NP90N055VUK-E1-AY

NP90N055VUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
DMP1012UFDF-7

DMP1012UFDF-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NP90N04VUK-E1-AY

NP90N04VUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STB70N10F4

STB70N10F4

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
NP90N04NUK-S18-AY

NP90N04NUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N04MUG-S18-AY

NP90N04MUG-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
NP90N055MUK-S18-AY

NP90N055MUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP95N03ZUGP-E1

NP95N03ZUGP-E1

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
BSS139L6327HTSA1

BSS139L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NP90N055NUK-S18-AY

NP90N055NUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N04MUK-S18-AY

NP90N04MUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK2989(T6CANO,F,M

2SK2989(T6CANO,F,M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
NP90N03VHG-E1-AY

NP90N03VHG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP90N03VLG-E1-AY

NP90N03VLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
HUF76423D3S

HUF76423D3S

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVD4808NT4G

NVD4808NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 63A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP90N04VUG-E1-AY

NP90N04VUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
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