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Halle C5 Stand 220

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EKV550

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vorrätig
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$1.317
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EKV550
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V TO-220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.EKV550.pdf
    2.EKV550.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    85W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    EKV550 DK
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 50A (Ta) 85W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Ta)

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Zahlung
Das Folgende sind "EKV550" -Einziper.
NTD24N06T4G

NTD24N06T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFD020PBF

IRFD020PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXFK120N20P

IXFK120N20P

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
DMG2301U-7

DMG2301U-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AO4404BL_101

AO4404BL_101

Beschreibung: MOSFET N-CH 8-SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRFL9110PBF

IRFL9110PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SPP80N03S2L04AKSA1

SPP80N03S2L04AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXTP05N100P

IXTP05N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RFD14N05SM9A

RFD14N05SM9A

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF40H210

IRF40H210

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SQ3419AEEV-T1_GE3

SQ3419AEEV-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AUIRLS3034-7P

AUIRLS3034-7P

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDB38N30U

FDB38N30U

Beschreibung: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMP6110SVT-13

DMP6110SVT-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NVMFS5C673NLWFT1G

NVMFS5C673NLWFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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