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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > 1N6102A
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1N6102A

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6102A
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 5.2V 10.5V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    1N6102A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    5.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    10.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    6.46V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    47.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "1N6102A" -Einziper.
1N6096

1N6096

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6103A

1N6103A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6098

1N6098

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6097

1N6097

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6098R

1N6098R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6103A

1N6103A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6097R

1N6097R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6103AUS

1N6103AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6097

1N6097

Beschreibung: SCHOTTKY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6103US

1N6103US

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.8V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6096R

1N6096R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6102US

1N6102US

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 11V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6103AUS

1N6103AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6097

1N6097

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6100

1N6100

Beschreibung: TVS DIODE 14FLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6103

1N6103

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.8V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6101

1N6101

Beschreibung: TVS DIODE 16CDIP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6102AUS

1N6102AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 11V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6104

1N6104

Beschreibung: TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6103US

1N6103US

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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